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J-GLOBAL ID：200902115493214318   整理番号：99A0879835

電気化学およびプラズマプロセシングによる金属薄膜成長過程の比較 熱CVD法によるTiC_1-xの成膜速度

Deposition of Metallic Thin Film by Electrochemical and Plasma Processing. Growth Rate of TiC_1-x Film in Thermal CVD Process.

著者 (3件)： 小西陽子 (京大 大学院) ,  福中康博 (京大 大学院) ,  隅山兼治 (東北大 金材研)
資料名： 新素材設計開発施設共同利用研究報告書
巻： 1998  ページ： 38-39  発行年： 1999年06月 
JST資料番号： L3700A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 熱CVDプロセスを用いてTiC_1-x膜...

シソーラス用語： *金属薄膜 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  プラズマプロセシング ,  金属薄膜 ,  成長過程 ,  熱CVD ,  成膜速度