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J-GLOBAL ID：200902115607388559   整理番号：00A0951989

ガス源分子ビームエピタクシーで成長させたTlInGaAs/InP二重ヘテロ構造における非常に微細な温度に依存するバンドギャップエネルギー

Very small temperature-dependent band-gap energy in TllnGaAs/InP double heterostructures grown by gas-source molecular-beam epitaxy.

著者 (7件)： AYABE A (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAHI H (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  LEE H J (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MAEDA O (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  KONISHI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  ASAMI K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  GONDA S (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 14  ページ： 2148-2150  発行年： 2000年10月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガス源分子ビームエピタキシーで(100)InP上に標記の二重...

シソーラス用語： MBE成長 ,...
準シソーラス用語： *禁止帯

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分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： ガス源分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  InP ,  ヘテロ構造 ,  バンドギャップエネルギー