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J-GLOBAL ID：200902115735039303   整理番号：94A0874165

アモルファスSiフォトダイオードセンサの放射線損傷

Radiation Damage of Amorphous Silicon Hotodiode Sensors.

著者 (2件)： BOUDRY J M (Univ. Michigan, MI) ,  ANTONUK L E (Univ. Michigan, MI)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 41  号： 4 Pt 1  ページ： 703-707  発行年： 1994年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-Si:Hによるn-i-p構造フォトセンサに関する損傷研究...

シソーラス用語： X線画像 ,...
準シソーラス用語： フリッカ雑音

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分類 (2件)： 放射線検出・検出器  (AD08020J) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (2件)： アモルファスSi ,  放射線損傷