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J-GLOBAL ID：200902116159466795   整理番号：02A0947186

硫化銅(Cu2S)薄膜の化学堆積法の改善と物理化学特性

Modified chemical deposition and physico-chemical properties of copper sulphide (Cu2S) thin films.
著者 (3件)：
PATHAN H M

PATHAN H M について

(Shivaji Univ., Kolhapur, IND)

Shivaji Univ., Kolhapur, IND について

, 
DESAI J D

DESAI J D について

(S.S.G.M. Coll., Kopargaon, IND)

S.S.G.M. Coll., Kopargaon, IND について

, 
LOKHANDE C D

LOKHANDE C D について

(Shivaji Univ., Kolhapur, IND)

Shivaji Univ., Kolhapur, IND について


資料名：
Applied Surface Science  (Applied Surface Science)

Applied Surface Science について


巻： 202  号： 1/2  ページ： 47-56  発行年： 2002年12月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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化学量論的Cu2S半導体薄膜を改良化学...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*硫化銅

硫化銅 について

,...
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分類 (3件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  光物性一般 
(BM08010A)

光物性一般 について

,  半導体結晶の電気伝導 
(BM03043X)

半導体結晶の電気伝導 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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硫化銅

硫化銅 について

, 
薄膜

薄膜 について

, 
化学

化学 について

, 
堆積

堆積 について

, 
物理化学特性

物理化学特性 について


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