文献

J-GLOBAL ID：200902116228428574   整理番号：00A0470470

超薄酸化物-窒化物ゲート積層膜構成における,多結晶シリコンゲートの型がフラットバンドシフトに及ぼす影響

Effect of Polysilicon Gate Type on the Flatband Voltage Shift for Ultrathin Oxide-Nitride Gate Stacks.

著者 (7件)： WANG Z (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  PARKER C G (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  HODGE D W (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  CROSWELL R T (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  YANG N (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  MISRA V (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  HAUSER J R (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 21  号： 4  ページ： 170-172  発行年： 2000年04月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOS技術の微細化と共に,ダイレクトトンネリング等によるゲ...

シソーラス用語： *MOSFET ,...
準シソーラス用語： 界面構造 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸化物 ,  窒化物 ,  ゲート ,  積層膜 ,  多結晶シリコン ,  型