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J-GLOBAL ID：200902116255990608   整理番号：97A0233464

二つの蒸着源を用いたPbI主体の層状ペロブスカイト量子井戸の自己組織化成長

Self-Organized Growth of PbI-Based Layered Perovskite Quantum Well by Dual-Source Vapor Deposition.

著者 (4件)： ERA M (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  HATTORI T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TAIRA T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  TSUTSUI T (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 9  号： 1  ページ： 8-10  発行年： 1997年01月 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PbI₄二次元半導体層とRNH<sub...

シソーラス用語： 鉛錯体 ,...
準シソーラス用語： メチルアミン誘導体 ,...

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分類 (3件)： 非遷移金属元素の錯体  (CE01030C) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  非遷移金属元素の錯体の結晶構造  (BK09020M)

タイトルに関連する用語 (5件)： 蒸着 ,  層状ペロブスカイト ,  量子井戸 ,  自己組織化 ,  成長