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J-GLOBAL ID：200902116265256988   整理番号：98A0947964

ストレッサとして自己組織化GaSb島状構造を用いた歪誘起AlGaAs/GaAs量子ドットの成長と光学的研究

Growth and optical investigation of strain-induced AlGaAs/GaAs quantum dots using self-organized GaSb islands as a stressor.

著者 (2件)： WANG T (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU) ,  FORCHEL A (Univ. Wuerzburg, Wuerzburg, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 73  号： 13  ページ： 1847-1849  発行年： 1998年09月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己組織化GaSb島状構造ストレッサを用いて,格子整合したA...

シソーラス用語： 自己組織系 ,...
準シソーラス用語： ストレッサ

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (12件)： ストレッサ ,  自己組織化 ,  GaSb ,  島状構造 ,  歪 ,  誘起 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  成長 ,  光学 ,  研究