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J-GLOBAL ID：200902116364175914   整理番号：99A0876098

CdTe/Cd0.959Zn0.041Te,Hg1-xCdxTe/CdTe,CdTe/GaAsヘテロ接合の構造

Structure of the CdTe/Cd0.959Zn0.041Te, Hg1-xCdxTe/CdTe, CdTe/GaAs heterojunctions.
著者 (1件)：
YU F

YU F について

(Shanghai Inst. Technical Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN)

Shanghai Inst. Technical Physics, Chinese Acad. Sci., Shanghai, CHN について


資料名：
Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)

Journal of Crystal Growth について


巻： 205  号： 3  ページ： 264-269  発行年： 1999年08月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
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抄録/ポイント
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Cd<sub>0.959</sub>Zn<sub>0.041...
シソーラス用語：
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化合物半導体

化合物半導体 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

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CdTe

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GaAs

GaAs について

, 
ヘテロ接合

ヘテロ接合 について


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