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J-GLOBAL ID：200902116778928787   整理番号：01A0300208

KTa_xNb_1-xO₃中間層を用いたMgO上の方位制御されたKNbO₃結晶薄膜の有機金属化学蒸着によるエピタキシャル成長

Epitaxial growth of orientation-controlled KNbO₃ crystal films on MgO using KTa_xNb_1-xO₃ intermediate layer by metalorganic chemical vapor deposition.

著者 (3件)： ONOE A (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  YOSHIDA A (Pioneer Corp., Saitama, JPN) ,  CHIKUMA K (Pioneer Corp., Saitama, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 78  号： 1  ページ： 49-51  発行年： 2001年01月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (110)MgO基板上で(010)方向のKNbO<sub>3...

シソーラス用語： *ニオブ酸カリウム ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (7件)： 中間層 ,  MgO ,  方位制御 ,  結晶 ,  薄膜 ,  有機金属化学蒸着 ,  エピタキシャル成長