有機金属気相エピタクシーでGaN上に成長させたAl<sub>1-x</sub>In<sub>x</sub>Nの光学的性質における異常な特性

YAMAGUCHI S; KARIYA M; NITTA S; TAKEUCHI T; WETZEL C; AMANO H; AKASAKI I

文献

J-GLOBAL ID：200902116820983823 整理番号：00A0287208

有機金属気相エピタクシーでGaN上に成長させたAl_1-xIn_xNの光学的性質における異常な特性

Anomalous features in the optical properties of Al_1-xIn_xN on GaN grown by metal organic vapor phase epitaxy.

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資料名：
巻： 76 号： 7 ページ： 876-878 発行年： 2000年02月14日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ωとω-2θスキャンのX線回折を解析した。組成変化および結晶...

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

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有機金属気相エピタクシーでGaN上に成長させたAl1-xInxNの光学的性質における異常な特性

有機金属気相エピタクシーでGaN上に成長させたAl_1-xIn_xNの光学的性質における異常な特性