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J-GLOBAL ID：200902116984556284   整理番号：93A0697130

イオン注入と高速熱アニーリングによる酸化けい素におけるエッチング率の改変

Etching rate modification in silicon oxide by ion implantation and rapid thermal annealing.

著者 (5件)： DOM<span style=text-decoration:overline>I ́</span>NGUEZ C (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  GARRIDO B (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP) ,  MONTSERRAT J (CSIC, Bellaterra, ESP) ,  MORANTE J R (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP) ,  SAMITIER J (Univ. Barcelona, Barcelona, ESP)
資料名： Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms  (Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Section B. Beam Interactions with Materials and Atoms)
巻： 80/81  号： Pt 2  ページ： 1367-1370  発行年： 1993年06月 
JST資料番号： H0899A  ISSN： 0168-583X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱成長SiO₂に対するArイオン注入に...

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン注入 ,  高速熱アニーリング ,  酸化けい素 ,  エッチング ,  改変