文献

J-GLOBAL ID：200902116995790270   整理番号：02A0124018

種々の間隙率の多孔質表面上へのSiCエピタキシャル層の成長

Growth of SiC epitaxial layers on porous surfaces of varying porosity.

著者 (5件)： SADDOW S E (Univ. South Florida, FL, USA) ,  MYNBAEVA M (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  SMITH M C D (Emerging Materials Res. Lab., MS, USA) ,  SMIRNOV A N (Ioffe Inst., St. Petersburg, RUS) ,  DIMITRIEV V (TDI, Inc., MD, USA)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 184  号： 1/4  ページ： 72-78  発行年： 2001年12月12日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCエピタキシャル膜の光学及び電気特性は通常の基板よりも多...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 間隙率

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0124018&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0707B") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 間隙率 ,  多孔質 ,  SiC ,  エピタキシャル層 ,  成長