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J-GLOBAL ID：200902117213594261   整理番号：95A0324155

高効率GaN基発光ダイオードにおける高転位密度

High dislocation densities in high efficiency GaN-based light-emitting diodes.

著者 (4件)： LESTER S D (Hewlett Packard Lab., California) ,  PONCE F A (Xerox Palo Alto Research Center, California) ,  CRAFORD M G (Hewlett Packard Co., California) ,  STEIGERWALD D A (Hewlett Packard Co., California)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 66  号： 10  ページ： 1249-1251  発行年： 1995年03月06日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V窒化物材料系から作成したダイオード(LED)の電気...

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高効率 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  転位密度