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J-GLOBAL ID：200902117213810185   整理番号：95A0877547

STMによるSi(100)2×1上でのホスフィンの吸着と分解

Phosphine adsorption and decomposition on Si(100) 2×1 studied by STM.

著者 (6件)： KIPP L (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  BRINGANS R D (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  BIEGELSEN D K (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  NORTHRUP J E (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  GARCIA A (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  SWARTZ L-E (Xerox Palo Alto Res. Center, California)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 52  号： 8  ページ： 5843-5850  発行年： 1995年08月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 清浄なSi(100)2×1表面上でのホスフィン分子の吸着と分...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (5件)： STM ,  Si ,  ホスフィン ,  吸着 ,  分解