MgドープGaNにおける高濃度ドーピング効果

KOZODOY P; XING H; DENBAARS S P; MISHRA U K; SAXLER A; PERRIN R; ELHAMRI S; MITCHEL W C

文献

J-GLOBAL ID：200902117377050874 整理番号：00A0307451

MgドープGaNにおける高濃度ドーピング効果

Heavy doping effects in Mg-doped GaN.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=00A0307451&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0307451&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 87 号： 4 ページ： 1832-1835 発行年： 2000年02月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記p形GaNの電気特性をHall効果の温度変化を通じて調べ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0307451&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

半導体の格子欠陥 , 半導体結晶の電気伝導

, , , ,

前のページに戻る