高濃度不純物ドープ多結晶シリコン-ゲルマニウム薄膜の電気的性質

KING T-J; MCVITTIE J P; SARASWAT K C; PFIESTER J R

文献

J-GLOBAL ID：200902117592189417 整理番号：94A0342977

高濃度不純物ドープ多結晶シリコン-ゲルマニウム薄膜の電気的性質

Electrical Properties of Heavily Doped Polycrystalline Silicon-Germanium Films.

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巻： 41 号： 2 ページ： 228-232 発行年： 1994年02月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高ドーズイオン注入と焼なまし処理によりドープされた最大0.5...

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半導体結晶の電気伝導 , 固体デバイス材料

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