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J-GLOBAL ID：200902117839453082   整理番号：93A0311179

Si(001)基板上でコヒーレントに歪んだGexSi1-xの電子バンド構造

Electronic band structure of coherently strained GexSi1-x alloys on Si(001) substrates.
著者 (1件)：
XU Z-Z

XU Z-Z について

(Chinese Center of Advanced Science and Technology (World Lab.), Beijing, CHN)

Chinese Center of Advanced Science and Technology (World Lab.), Beijing, CHN について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 47  号： 7  ページ： 3642-3648  発行年： 1993年02月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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抄録/ポイント
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Si(001)基板で成長し,コヒーレントに歪んだGe<sub...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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バンド構造

バンド構造 について

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TB近似

TB近似 について

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分類 (1件)：
分類
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半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

半導体結晶の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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Si

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コヒーレント

コヒーレント について

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電子バンド構造

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