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J-GLOBAL ID：200902117849340286   整理番号：00A0388925

歪みAlGaN/GaNヘテロ構造の脆性-延性緩和機構

Brittle-ductile relaxation kinetics of strained AlGaN/GaN heterostructures.

著者 (7件)： HEARNE S J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  HAN J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  LEE S R (Sandia National Lab., New Mexico) ,  FLORO J A (Sandia National Lab., New Mexico) ,  FOLLSTAEDT D M (Sandia National Lab., New Mexico) ,  CHASON E (Brown Univ., Rhode Island) ,  TSONG I S T (Arizona State Univ., Arizona)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 76  号： 12  ページ： 1534-1536  発行年： 2000年03月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機金属化学蒸着法(MOCVD)によってサファイア上に成長さ...

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,...
準シソーラス用語： 歪緩和

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 歪み ,  AlGaN ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  脆性 ,  延性 ,  緩和