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J-GLOBAL ID：200902117952081604   整理番号：99A0572563

減結合閉込めヘテロ構造を有する高出力InGaAs/AlGaAsレーザダイオード

High power InGaAs/AlGaAs laser diodes with decoupled confinement heterostructure.

著者 (5件)： FUJIMOTO T (Mitsui-Chemicals, Inc., Chiba, JPN) ,  YAMADA Y (Mitsui-Chemicals, Inc., Chiba, JPN) ,  OKUBO A (Mitsui-Chemicals, Inc., Chiba, JPN) ,  OEDA Y (Mitsui-Chemicals, Inc., Chiba, JPN) ,  MURO K (Mitsui-Chemicals, Inc., Chiba, JPN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 3628  ページ： 38-45  発行年： 1999年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題の高出力ダイオードレーザを開発した。Alを殆ど含有しない...

シソーラス用語： *半導体レーザ ,...
準シソーラス用語： DCHレーザ

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 減結合 ,  閉込め ,  ヘテロ構造 ,  高出力 ,  InGaAs ,  AlGaAsレーザ ,  ダイオード