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J-GLOBAL ID：200902118000649280   整理番号：99A0286124

高誘電定数のゲート絶縁体から成るプラスチック上の低電圧有機トランジスタ

Low-Voltage Organic Transistors on Plastic Comprising High-Dielectric Constant Gate Insulators.

著者 (5件)： DIMITRAKOPOULOS C D (IBM Res. Div., NY, USA) ,  PURUSHOTHAMAN S (IBM Res. Div., NY, USA) ,  KYMISSIS J (IBM Res. Div., NY, USA) ,  CALLEGARI A (IBM Res. Div., NY, USA) ,  SHAW J M (IBM Res. Div., NY, USA)
資料名： Science  (Science)
巻： 283  号： 5403  ページ： 822-824  発行年： 1999年02月05日 
JST資料番号： E0078A  ISSN： 0036-8075  CODEN： SCIEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ペンタセンを使った絶縁ゲート電界効果トランジスタ(IGFET...

シソーラス用語： *有機半導体 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (5件)： 誘電定数 ,  ゲート絶縁体 ,  プラスチック ,  低電圧 ,  有機トランジスタ