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J-GLOBAL ID：200902118162695552   整理番号：98A0959563

非晶質シリコンの電場に促進された結晶化

Electric-field-enhanced crystallization of amorphous silicon.

著者 (6件)： JANG J (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  OH J Y (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  KIM S K (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Y J (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  YOON S Y (Han Yang Univ., Seoul, KOR) ,  KIM C O (Han Yang Univ., Seoul, KOR)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 395  号： 6701  ページ： 481-483  発行年： 1998年10月01日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質シリコンの固相結晶化温度はニッケルなどの金属を添加する...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 非晶質シリコン ,  電場 ,  促進 ,  結晶化