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J-GLOBAL ID：200902118374603054   整理番号：00A0082246

III族窒化物を使ったヘテロ構造及び素子における自発分極と圧電分極に誘起された効果の役割

Role of Spontaneous and Piezoelectric Polarization Induced Effects in Group-III Nitride Based Heterostructures and Devices.

著者 (9件)： AMBACHER O (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  DIMITROV R (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  STUTZMANN M (Technical Univ. Munich, Garching, DEU) ,  FOUTZ B E (Cornell Univ., NY, USA) ,  MURPHY M J (Cornell Univ., NY, USA) ,  CHU K (Cornell Univ., NY, USA) ,  SIERAKOWSKI A J (Cornell Univ., NY, USA) ,  SCHAFF W J (Cornell Univ., NY, USA) ,  EASTMAN L F (Cornell Univ., NY, USA)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Research  (Physica Status Solidi. B. Basic Research)
巻： 216  号： 1  ページ： 381-389  発行年： 1999年11月01日 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウルツ鉱型InN,GaN及びAlNは4配位の直接型バンドギャ...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： III族 ,  窒化物 ,  ヘテロ構造 ,  自発分極 ,  圧電 ,  分極 ,  誘起 ,  役割