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J-GLOBAL ID：200902118378442381   整理番号：98A0041512

E-B蒸発前駆体の硫化によるCu₂ZnSnS₄薄膜の作製と評価

Preparation and evaluation of Cu₂ZnSnS₄ thin films by sulfurization of E-B evaporated precursors.

著者 (6件)： KATAGIRI H (Nagaoka National Coll. Technol., Niigata, JPN) ,  SASAGUCHI N (Nagaoka National Coll. Technol., Niigata, JPN) ,  HANDO S (Nagaoka National Coll. Technol., Niigata, JPN) ,  HOSHINO S (Nagaoka National Coll. Technol., Niigata, JPN) ,  OHASHI J (Nagaoka National Coll. Technol., Niigata, JPN) ,  YOKOTA T (Nagaoka National Coll. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 49  号： 1/4  ページ： 407-414  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： E-B蒸発前駆体の硫化により,標題薄膜(CZTS)を作製する...

シソーラス用語： 電子ビーム蒸着 ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 蒸発 ,  前駆体 ,  硫化 ,  Cu2ZnSnS4 ,  薄膜 ,  作製 ,  評価