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J-GLOBAL ID：200902118427925652   整理番号：99A0314980

Si(001)表面でのビスマス誘起構造

Bismuth-induced structures on Si(001) surfaces.

著者 (5件)： MIKI K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OWEN J H G (Oxford Univ., Oxford, GBR) ,  BOWLER D R (Oxford Univ., Oxford, GBR) ,  BRIGGS G A D (Oxford Univ., Oxford, GBR) ,  SAKAMOTO K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 421  号： 3  ページ： 397-418  発行年： 1999年02月11日 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： STMとRHEEDでその脱離温度近傍で形成されるSi(001...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P)

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  ビスマス ,  誘起