文献

J-GLOBAL ID：200902118480830221   整理番号：96A0928861

先進的MOSFET概念の比較研究

A Comparative Study of Advanced MOSFET Concepts.

著者 (5件)： WANN C H (Univ. California, CA, USA) ,  NODA K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TANAKA T (Fujitsu Lab., Atsugi, JPN) ,  YOSHIDA M (Hitach Ltd., Tokyo, JPN) ,  HU C (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 43  号： 10  ページ： 1742-1753  発行年： 1996年10月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チャネル長0.1μmおよびそれ以下のMOSFETについては,...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOSFET ,  概念 ,  研究