Si(111)-7×7超格子からの反射高エネルギー電子回折強度の温度依存性

YAMAGUCHI K; MITSUI H; SHIGETA Y

文献

J-GLOBAL ID：200902118782159227 整理番号：97A0953897

Si(111)-7×7超格子からの反射高エネルギー電子回折強度の温度依存性

Temperature dependence of reflection high-energy electron diffraction intensity from Si(111)-7×7 superlattice.

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巻： 15 号： 5 ページ： 2569-2573 発行年： 1997年09月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

すれすれ入射角を変化させる磁気ディフレクタを備えたRHEED...

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半導体の表面構造

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