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J-GLOBAL ID：200902118790287943   整理番号：01A0162843

織物状基板上の単一成長からの低転位GaN

Low-dislocation-density GaN from a single growth on a textured substrate.

著者 (8件)： ASHBY C I H (Sandia National Lab., New Mexico) ,  MITCHELL C C (Sandia National Lab., New Mexico) ,  HAN J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  MISSERT N A (Sandia National Lab., New Mexico) ,  PROVENCIO P P (Sandia National Lab., New Mexico) ,  FOLLSTAEDT D M (Sandia National Lab., New Mexico) ,  PEAKE G M (Sandia National Lab., New Mexico) ,  GRIEGO L (Sandia National Lab., New Mexico)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 77  号： 20  ページ： 3233-3235  発行年： 2000年11月13日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平らなサファイヤ基板上に直接成長させたGaNにおける貫通転位...

シソーラス用語： 基板 ,...
準シソーラス用語： 横方向被覆成長

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 織物 ,  成長 ,  転位 ,  GaN