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J-GLOBAL ID：200902119030941275   整理番号：96A0777538

中速イオン散乱法によるSi(001)基板上Geダイマーの構造解析

Structural Analysis of the Ge Dimer On Si(001) Substrate by Medium Energy Ion Scattering.

著者 (3件)： 住友弘二 (NTT 基礎研) ,  西岡孝 (NTT 基礎研) ,  荻野俊郎 (NTT 基礎研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(年会)  (日本物理学会年会予稿集)
巻： 51st  号： 2  ページ： 537  発行年： 1996年03月 
JST資料番号： S0671A  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： 中速イオン散乱 ,  Si ,  Ge ,  ダイマー ,  構造解析