巨大磁気抵抗効果ランダムアクセスメモリへの応用のための面内電流擬スピンバルブデバイスの性能(招待)

KATTI R R

文献

J-GLOBAL ID：200902119097835801 整理番号：02A0515544

巨大磁気抵抗効果ランダムアクセスメモリへの応用のための面内電流擬スピンバルブデバイスの性能(招待)

Current-in-plane pseudo-spin-valve device performance for giant magnetoresistive random access memory applications (invited).

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=02A0515544&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0515544&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

著者 (1件)：
資料名：
巻： 91 号： 10,Pt.2 ページ： 7245-7250 発行年： 2002年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記擬スピンバルブ(PSV)デバイスの書込み,読出し特性を,...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0515544&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

集積回路一般 , その他の接合

, , , ,

前のページに戻る