ICB蒸着法によるZn<sub>3</sub>P<sub>2</sub>薄膜成長 (V)

文献

J-GLOBAL ID：200902119137147440 整理番号：94A0195459

ICB蒸着法によるZn₃P₂薄膜成長 (V)

Zn₃P₂ Thin Film Growth by Ionized-Cluster Beam Deposition. (V).

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資料名：
巻： 54th 号： 2 ページ： 450 発行年： 1993年09月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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