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J-GLOBAL ID：200902119507046419   整理番号：99A0674877

GaN プロセッシング,欠陥および素子

GaN: Processing, defects, and devices.

著者 (4件)： PEARTON S J (Univ. Florida, Florida) ,  ZOLPER J C (Office of Naval Res., Virginia) ,  SHUL R J (Sandia National Lab., New Mexico) ,  REN F (Univ. Florida, Florida)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 86  号： 1  ページ： 1-78  発行年： 1999年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNの電気的光学的性質に及ぼす拡張欠陥と点欠陥,C,O,H...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  プロセッシング ,  欠陥