元素及び化合物半導体における格子間酸素 基本的性質と傾向

ROBERSON M A; ESTREICHER S K; CHU C H

文献

J-GLOBAL ID：200902119562493637 整理番号：94A0071724

元素及び化合物半導体における格子間酸素基本的性質と傾向

Interstitial oxygen in elemental and compound semiconductors: fundamental properties and trends.

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巻： 5 号： 48 ページ： 8943-8954 発行年： 1993年11月29日
JST資料番号： B0914B ISSN： 0953-8984 CODEN： JCOMEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

c-C,Si,Bp,AlP,SiC及びc-BN結晶クラスタに...

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半導体の格子欠陥

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元素及び化合物半導体における格子間酸素 基本的性質と傾向

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