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J-GLOBAL ID：200902119930963070   整理番号：95A0602678

SiC半導体

Silicon Carbide Semiconductor.

著者 (7件)： 夫馬弘雄 (豊田中研) ,  村田年生 (豊田中研) ,  三浦篤志 (豊田中研) ,  杉山尚宏 (豊田中研) ,  岡本篤人 (豊田中研) ,  谷俊彦 (豊田中研) ,  加納浩之 (豊田中研)
資料名： 豊田中央研究所R&Dレビュー  (R&D Review of Toyota CRDL)
巻： 30  号： 2  ページ： 57-67  発行年： 1995年06月 
JST資料番号： G0820B  ISSN： 0385-1508  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究報告は,SiC半導体に関する試験研究の成果をまとめたも...

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タイトルに関連する用語 (1件)： SiC