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J-GLOBAL ID：200902120079614871   整理番号：00A0594071

電総研/岩谷産業が高濃度オゾン発生装置を開発 理想的なゲート酸化膜の形成に成功

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著者 (1件)：
川名弘康

川名弘康 について


資料名：
Semiconductor FPD World  (Semiconductor FPD World)

Semiconductor FPD World について


巻： 19  号： 5  ページ： 129-131  発行年： 2000年05月 
JST資料番号： Y0509B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 紹介的記事  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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高濃度オゾン発生装置による,オゾンガスを用いたゲート酸化膜形...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*オゾン処理

オゾン処理 について

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オゾン発生装置

オゾン発生装置 について

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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高濃度

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オゾン発生装置

オゾン発生装置 について

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開発

開発 について

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ゲート酸化膜

ゲート酸化膜 について

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成功

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