Si(001)上のホルミウム成長  表面再構成とナノ細線形成

OHBUCHI C; NOGAMI J

文献

J-GLOBAL ID：200902120248954695 整理番号：03A0063835

Si(001)上のホルミウム成長表面再構成とナノ細線形成

Holmium growth on Si(001): Surface reconstructions and nanowire formation.

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巻： 66 号： 16 ページ： 165323.1-165323.6 発行年： 2002年10月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高温のSi(100)表面にホルミウムを堆積すると,Hoシリサ...

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金属薄膜 , 半導体の表面構造

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Si(001)上のホルミウム成長 表面再構成とナノ細線形成

Si(001)上のホルミウム成長表面再構成とナノ細線形成