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J-GLOBAL ID：200902120254775883   整理番号：93A0649381

n-SiにおけるA-中心類似電子線照射欠陥のアニール特性

Isothermal annealing of A-center-like defect in low-energy electron irradiated n-Si.

著者 (5件)： 太田英二 (慶応大 理工) ,  篠田和典 (慶応大 理工) ,  鷹本貴彦 (慶応大 理工) ,  佐藤徹哉 (慶応大 理工) ,  坂田亮 (杏林大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 2  ページ： 806  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  類似 ,  電子線 ,  照射欠陥 ,  アニール