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J-GLOBAL ID：200902121071113594   整理番号：94A0918430

Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAs MISFETの電気的特性 (5)

Electrical Characterization of InGaAs MISFET Using Ultra-thin Si Interface Control Layer. (5).

著者 (3件)： 鈴木敏 (北大 工) ,  塩原俊助 (北大 工) ,  長谷川英機 (北大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 55th  号： 3  ページ： 1067  発行年： 1994年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  超薄膜 ,  界面制御 ,  InGaAs ,  MISFET ,  電気的特性