文献
J-GLOBAL ID：200902121285958729   整理番号：94A0012582

Si-ultrathin SiO2 structure as a gas chemical sensor.

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著者 (2件)：
ATANASSOVA E

ATANASSOVA E について

(Inst. Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, BGR)

Inst. Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, BGR について

, 
KOPRINAROVA J

KOPRINAROVA J について

(Inst. Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, BGR)

Inst. Solid State Physics, Bulgarian Academy of Sciences, Sofia, BGR について


資料名：
Electronic and Optoelectronic Materials for the 21st Century  (Electronic and Optoelectronic Materials for the 21st Century)

Electronic and Optoelectronic Materials for the 21st Century について


ページ： 465-469  発行年： 1993年 
JST資料番号： K19930592  資料種別： 会議録 (C)
発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)
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タイトルに関連する用語
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Si

Si について

, 
SiO2

SiO2 について


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