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J-GLOBAL ID：200902121584799696   整理番号：00A0479620

高密度クリプトンプラズマ中で発生させた酸素ラジカルによる完全性の高い酸化けい素膜の低温成長

Low-Temperature Growth of High-Integrity Silicon Oxide Films by Oxygen Radical Generated in High-Density Krypton Plasma.

著者 (4件)： HIRAYAMA M (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SEKINE K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  SAITO Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHMI T (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1999  ページ： 249-252  発行年： 1999年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 400°C,Kr/O₂混合・高密度低電子...

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： クリプトン ,  プラズマ ,  酸素ラジカル ,  完全性 ,  酸化けい素膜 ,  低温成長