極薄シリコン酸化膜のストレス印加リーク電流 (II)

文献

J-GLOBAL ID：200902121799886220 整理番号：93A0664089

Stress Induced Leakage in Ultra-thin Silicon Dioxide Films. (II).

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資料名：
巻： 40th 号： Pt 2 ページ： 644 発行年： 1993年03月
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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