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J-GLOBAL ID:200902121806449761   整理番号:00A0262537

InGaN系半導体白色LEDを用いた照明用光源の基礎特性

1999 Annual Conference of Fundamentals and Materials Society, IEE Japan. Fundamental characteristics of the illminating light source using white light-emitting diodes based on InGaN semiconductors.
著者 (3件):
資料名:
巻: 120-A  号:ページ: 244-249  発行年: 2000年02月01日 
JST資料番号: S0808A  ISSN: 0385-4205  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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InGaN白色発光ダイオード(LED)の基礎的な特性評価およ...
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分類 (2件):
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発光素子  ,  光源,照明器具 
引用文献 (13件):
  • NAKAMURA, S. Appl.Phys.Lett. 1994, 64, 1687
  • NAKAMURA, S. Jpn.J.Appl.Phys. 1995, 34, L1332
  • FUMITOMO, H. Appl.Phys.Lett. 1997, 70, 2664
  • 日亜化学が白色LEDのサンプル出荷を開始. 日経エレクトロニクス. 1996, 671, 15
  • 田口. 第59回応用物理学会学術講演会
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