文献

J-GLOBAL ID：200902121812043998   整理番号：93A0609730

トカマク放電における強電離水素-シリコン混合プラズマの生成とa-Si:H成膜

Deposition of a-Si:H thin film with strongly ionized Si-H plasma in a tokamak discharge.

著者 (3件)： 松田治 (名古屋大 工) ,  大野哲靖 (名古屋大 工) ,  高村秀一 (名古屋大 工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 40th  号： Pt 1  ページ： 28  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： トカマク ,  放電 ,  シリコン ,  プラズマ ,  Si ,  成膜