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J-GLOBAL ID：200902121863206158   整理番号：94A0094017

Si-MOS反転層における負の磁気抵抗によるホットエレクトロン効果

Hot Electron Effect in Si-MOS Inversion Layers at Low Temperatures.

著者 (2件)： 長尾真人 (学習院大 理) ,  川路紳治 (学習院大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集(分科会)  (日本物理学会分科会講演予稿集)
巻： 1993  号： Autumn Pt 3  ページ： 305  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： S0872B  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  MOS ,  反転層 ,  負の磁気抵抗 ,  ホットエレクトロン