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J-GLOBAL ID：200902122019697266   整理番号：94A0179256

水素ラジカル添加による熱CVD-TiN膜の含有塩素量低減

Remote Hydrogen Radicals Chemical Vapor Deposition of TiN Film Using TiCl4/NH3 Gas System for Remarkable Reduction of Cl Contamination.
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著者 (3件)：
神力博

神力博 について

(川崎製鉄)

川崎製鉄 について

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貝塚健志

貝塚健志 について

(川崎製鉄)

川崎製鉄 について

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太田与洋

太田与洋 について

(川崎製鉄)

川崎製鉄 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 54th  号： 2  ページ： 455  発行年： 1993年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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タイトルに関連する用語
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水素ラジカル

水素ラジカル について

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熱CVD

熱CVD について

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TiN膜

TiN膜 について

, 
塩素量

塩素量 について


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