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J-GLOBAL ID：200902122367894644   整理番号：96A0408925

SrBi₂Ta₂O₉薄膜の電気的特性と強誘電不揮発性メモリ応用のためのその温度依存性

Electrical properties of SrBi₂Ta₂O₉ thin films and their temperature dependence for ferroelectric nonvolatile memory applications.

著者 (7件)： TAYLOR D J (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  JONES R E (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  ZURCHER P (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  CHU P (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  LII Y T (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  JIANG B (Materials Res. and Strategic Technol., Texas) ,  GILLESPIE S J (Materials Res. and Strategic Technol., Texas)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 68  号： 16  ページ： 2300-2302  発行年： 1996年04月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 不揮発性メモリへの応用のために,シリコンウエハ上で白金電極を...

シソーラス用語： ストロンチウム化合物 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  電気的特性 ,  不揮発性メモリ ,  応用 ,  温度依存性