文献

J-GLOBAL ID：200902122372104040   整理番号：99A0737653

BiCMOS応用向けのSOI・バイポーラMOS合体構造トランジスタ

SOI bipolar-MOS merged transistors for BiCMOS application.

著者 (2件)： ZHENG Y-S (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN) ,  ASANO T (Kyushu Inst. Technol., Fukuoka, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 35  号： 14  ページ： 1203-1204  発行年： 1999年07月08日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ドレイン領域に内蔵バイポーラ動作メカニズムを組込んだ新しいM...

シソーラス用語： BiCMOS ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=99A0737653&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0887A") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： BiCMOS ,  応用 ,  SOI ,  バイポーラ ,  MOS ,  合体 ,  トランジスタ