Pb[(Mg1/3Nb2/3)0.7Ti0.3]O3薄膜のrfマグネトロンスパッタリングに及ぼす電極組成の効果

JIANG M C; WU T B

文献

J-GLOBAL ID：200902122715543486 整理番号：94A0690696

Pb[(Mg_1/3Nb_2/3)_0.7Ti_0.3]O₃薄膜のrfマグネトロンスパッタリングに及ぼす電極組成の効果

The effect of electrode composition of rf magnetron sputtering deposition of Pb[(Mg_1/3Nb_2/3)_0.7Ti_0.3]O₃ films.

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資料名：
巻： 9 号： 7 ページ： 1879-1886 発行年： 1994年07月
JST資料番号： D0987B ISSN： 0884-2914 CODEN： JMREEE 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

強誘電性の標題の薄膜(PMNT)をSi基板上にPbOに富むP...

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酸化物薄膜 , 強誘電体,反強誘電体,強弾性

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