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J-GLOBAL ID：200902122892547025   整理番号：00A0368653

110GHzのfτのGaN/AlGaN高電子移動度トランジスタ

GaN/AlGaN high electron mobility transistors with fτ of 110GHz.
著者 (7件)：
MICOVIC M

MICOVIC M について

(HRL Lab., LLC, CA, USA)

HRL Lab., LLC, CA, USA について

, 
NGUYEN N X

NGUYEN N X について

(HRL Lab., LLC, CA, USA)

HRL Lab., LLC, CA, USA について

, 
JANKE P

JANKE P について

(HRL Lab., LLC, CA, USA)

HRL Lab., LLC, CA, USA について

, 
WONG W-S

WONG W-S について

(HRL Lab., LLC, CA, USA)

HRL Lab., LLC, CA, USA について

, 
HASHIMOTO P

HASHIMOTO P について

(HRL Lab., LLC, CA, USA)

HRL Lab., LLC, CA, USA について

, 
MCCRAY L-M

MCCRAY L-M について

(HRL Lab., LLC, CA, USA)

HRL Lab., LLC, CA, USA について

, 
NGUYEN C

NGUYEN C について

(HRL Lab., LLC, CA, USA)

HRL Lab., LLC, CA, USA について


資料名：
Electronics Letters  (Electronics Letters)

Electronics Letters について


巻： 36  号： 4  ページ： 358-359  発行年： 2000年02月17日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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SiC基板上にMBE成長によりゲート長が50nmのGaN/A...
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分類 (1件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

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AlGaN

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, 
高電子移動度トランジスタ

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