文献
J-GLOBAL ID:200902123099394796
整理番号:94A0223190
InP/InGaAs HBTへの保護膜形成に伴う表面再結合電流
Surface recombination current in InP/InGaAs HBT arisen from passivation film formation.
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{{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0223190&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}