有機金属化学気相成長したInGaN/GaN量子井戸の光学特性と構造に対する成長中断の効果

CHEONG M G; YOON H S; CHOI R J; KIM C S; YU S W; HONG C-H; SUH E-K; LEE H J

文献

J-GLOBAL ID：200902123113136878 整理番号：02A0128294

有機金属化学気相成長したInGaN/GaN量子井戸の光学特性と構造に対する成長中断の効果

Effects of growth interruption on the optical and the structural properties of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition.

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資料名：
巻： 90 号： 11 ページ： 5642-5646 発行年： 2001年12月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記量子井戸の成長時に成長を中断すると、光学特性と構造にどの...

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半導体薄膜

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